指针式万用表保护电路的改进

在万用电表实验中,学生往往做出不当的操作,严重时产生烧毁万用电表内部电路电阻的现象。文章分析了可能出现烧毁电表电阻的各种情况,并在理论分析的基础上有目的地设计了相应的保护电路,有效地保护了万用电表,提高了学生实验的保障性。     

硅单晶中的氢催化氧沉淀

红外光谱法研究了硅单晶中的氢催化氧沉淀。     

炉外精炼用硅发热剂的实验室研究

研究了硅氧化法钢水提温的反应规律，它升温过程快而且平稳，用量在１ｋｇ／ｔ时升温能力为２３．９℃，与铝的升温规律相似但升温能力稍低。     

Co/ZnO颗粒膜的超顺磁性研究

对金属颗粒与氧化物半导体颗粒膜的超顺磁特性用Ｌａｎｇｅｖｉｎ函数进行了拟和，理论与实验结果符合的较好，同时分析了样品的磁矩随退火温度的变化关系。     

铝在硅中的固溶度

本工作通过对过去测定铝在硅中的固溶度的部分文章和数据较详细的分析,采用液相外延方法在温度区域700℃到1000℃之间,测得固溶度界于4×10~(18)～1.5×10~(19)atoms/cm~3,计算出相应的分凝系数,推得硅熔点1415℃的分凝系数为1.8×10~(-3),微分溶解热0.6eV。     

薄膜定量分析中的Auger线型分析方法

采用Ａｕｇｅｒ线型分析方法－因子分析方法和已知组元强度的定量解谱技术，对电子束辅助Ｎ离子注入Ｓｉ和磁控溅射方法制备的ＴｉＮｘ薄膜的高分辨率俄歇电子能谱（ＡＥＳ），进行了定量分析。讨论了化学成分对ＡＥＳ线型的影响及线型分析技术的有效性和应用范围。     

工艺因素对SiCp／Mg复合材料中颗粒分布的影响

对机械搅拌法制备ＳｉＣ颗粒增强镁基复合材料的工艺过程进行了探索，着重研究了搅拌温度、搅拌头位置，搅拌速率以及搅拌时间等工艺因素对复合材料中ＳｉＣ颗粒分散性的影响。形成了一种制备微细ＳｉＣ颗粒增强Ｍｇ－３Ａｌ基复合材料的工艺方法，并获得相应工艺参数。     

闪光对焊机可控硅无触点交流自动调压控制系统

本文讨论了LM—150型闪光对焊机的自控系统。通过试验得到了预期的效果。文中给出了设计思想,操作原理和电路分析。     

Radiation hardness characterization of low gain avalanche detector prototypes for the high granularity timing detector

The high granularity timing detector (HGTD) is a crucial component of the ATLAS phase II upgrade to cope with the extremely high pile-up (the average number of interactions per bunch crossing can be as high as 200). With the precise timing information (σ_t～30 ps) of the tracks, the track-to-vertex association can be performed in the “4-D” space. The Low Gain Avalanche Detector (LGAD) technology is chosen for the sensors, which can provide the required timing resolution and good signal-to-noise ratio. Hamamatsu Photonics K.K. (HPK) has produced the LGAD with thicknesses of 35 μm and 50 μm. The University of Science and Technology of China(USTC) has also developed and produced 50 μm LGADs prototypes with the Institute of Microelectronics (IME) of Chinese Academy of Sciences. To evaluate the irradiation hardness, the sensors are irradiated with the neutron at the JSI reactor facility and tested at USTC. The irradiation effects on both the gain layer and the bulk are characterized by I-V and C-V measurements at room temperature (20 ℃) or ?30 ℃. The breakdown voltages and depletion voltages are extracted and presented as a function of the fluences. The final fitting of the acceptor removal model yielded the c-factor of 3.06×10?16 cm?2, 3.89×10?16 cm?2 and 4.12×10?16 cm?2 for the HPK-1.2, HPK-3.2 and USTC-1.1-W8, respectively, showing that the HPK-1.2 sensors have the most irradiation resistant gain layer. A novel analysis method is used to further exploit the data to get the relationship between the c-factor and initial doping density.     

薄带连铸取向硅钢的热轧孪生行为

薄带连铸流程下取向硅钢粗大λ晶粒(〈100〉//ND,normal direction)的“遗传”会导致磁性能恶化.为解决这一问题,针对取向硅钢的热轧孪生行为开展研究,结果表明:凝固组织粗大的取向硅钢在650℃热轧时可产生大量112〈111〉形变孪晶,这与具有高层错能的硅钢在较高温度下难以孪生变形的传统认知不同.热轧过程中复杂的应力状态降低了变形孪晶的取向依赖性,由于具有更高的储存能,孪晶界/孪晶界及孪晶界/晶界交叉点成为再结晶形核的优先位置,大大提高了常化过程中的再结晶率,受沿孪晶界应变分布及孪晶间距离的限制,沿孪晶界形核的再结晶晶粒通常呈“饼状”,最终形成以细小且取向漫散的再结晶晶粒为主的常化组织,消除了初始凝固组织中有害的粗大λ晶粒.